THE INVESTIGATION OF THE EFFECT OF DESIGN PARAMETERS OF THIN-FILM ELECTROLUMINESCENT INDICATORS OF MODES OF OPERATION FOR THE DEVELOPMENT OF SOFTWARE OF THE CAD SYSTEM
Abstract
Thin-film electroluminescent alternating current driven structures are the perspective
active flat indicator devices, which have a number of advantages: high brightness,
small consumed power, high efficiency, long working life et.al. There are many
publications about the experimental datas for electroluminescent light emitted capacitors
on the bases of zinc sulphide with manganese or rare-earth metal fluorides and some other
phosphors with various insulator films. Effects of charge currier generation and energy
dissipation are studied for thin-film structures. The main characteristics of indicator devices
are explained by means of polarization effects connected with tunnel recharge of
luminophore-insulator interface traps. These equations have been adapted for the development
of CAD system of thin-film electroluminescent indicators. The presented of conspicuous
electrical parameters dependence on the structural factors.
active flat indicator devices, which have a number of advantages: high brightness,
small consumed power, high efficiency, long working life et.al. There are many
publications about the experimental datas for electroluminescent light emitted capacitors
on the bases of zinc sulphide with manganese or rare-earth metal fluorides and some other
phosphors with various insulator films. Effects of charge currier generation and energy
dissipation are studied for thin-film structures. The main characteristics of indicator devices
are explained by means of polarization effects connected with tunnel recharge of
luminophore-insulator interface traps. These equations have been adapted for the development
of CAD system of thin-film electroluminescent indicators. The presented of conspicuous
electrical parameters dependence on the structural factors.
About the Authors
О. Максимова
Ульяновский государственный технический университет
Russian Federation
Russian Federation
М. Самохвалов
Ульяновский государственный технический университет
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Верещагин, И.К. Электролюминесцентные источники света [Текст] / И.К. Вереща- гин, Б.А. Ковалев, Л.А. Косяченко, С.М. Кокин - М.: Энергоатомидат, 1990. - 168 с.
2. Muller, G.O. Basics of electron impact-excited luminescence devices [Текст] / G.O. Muller // Phys. stat. Sol. (a). - 1984. - v.81. - P. 597 - 608.
3. Гурин, Н.Т. Взаимосвязь параметров диэлектрических слоев и порогового напряже- ния ТП ЭЛК [Текст] / Н.Т. Гурин //Электронная техника. Сер.3, Микроэлектрони- ка.- 1990.- B.1 (I35).- c.88-90.
4. Гурин, Н.Т. Анализ параметров ТП ЭЛК с разными диэлектрическими слоями. [Текст] / Гурин Н.Т. //Лазерная техника и оптоэлектроника.- 1992.-№ 3-4 (64-65).- С.74-77.
5. Pratt, G.W. Long-term charge Storage in interface states of ZnS MOS capacitora. [Текст] / G.W. Pratt L.G. Walker, // J.Appl.Phys/- 1975.- v.46.-№7.- р.2992-2997.
6. Howard, W.E. The importance of insulator properties in a thin-film electroluminescent device. [Текст] / W.E. Howard // IEEE Trans.Electron Dev.-1977. - v.ED-24. №7- p.903- 906.
7. Проведение теоретических и экспериментальных исследований физических про- цессов, протекающих в самосканирующих устройствах и микроэлектронных сред- ствах отображения информации. Теоретические и экспериментальные исследова- ния физических процессов в самосканирующих оптоэлектронных устройствах: От- чет о НИР (промежут.) [Текст] /Ульяновский политехн. ин-т;Руководитель Н.Т.Гурин.- №90-02; №ГР 0188.0040947 ;Инв.02890010701 Ульяновск, 1988. - С.85.
8. Самохвалов, М.К. Электролюминесцентные процессы в тонкопленочных электро- люминесцентных структурах [Текст] / М.К. Самохвалов Дис. докт.физ.-мат. наук.- Ульяновск, 1994.- 315 с.
9. Мишин, А.И. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук, Мишин Александр Иванович, Математическое моделирование процессов рассеяния энергии в тонкопленочных электролюминесцентных конден- саторах. Специальность 05.13.18 - Математическое моделирование, численные ме- тоды и комплексы программ [Текст] / А.И. Мишин. - Ульяновск, 2007. - С.16.
10. Кулешова, В.И. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справочник [Текст] / С.В.Якубовский, Л.И.Ниссельсон, В.И.Кулешова и др.; Под ред. С.В.Якубовского.- М.: Радио и связь, 1989.- С.496.
11. Самохвалов, М.К., Пугачев С.Ф., Бригаднов И.Ю. Спектральные характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS. [Текст] / М.К.Самохвалов, С.Ф. Пугачев, И.Ю. Бригаднов // Тез.докл. 28-й науч.- техн.конф.УлПИ, ч.1. - Ульяновск. - 1994.- C.27-28.
Review
Views:
47
Email this article 