phmathВестник Государственного университета просвещения. Серия: Физика-МатематикаBulletin of Federal State University of Education. Series: Physics and Mathematics2949-50832949-5067Federal State University of Educationphmath-269Research ArticleСтатьиИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКТИВНЫХ ПАРАМЕТРОВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНИСЦЕНТНЫХ ИНДИКАТОРОВ НА РЕЖИМЫ ИХ РАБОТЫ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ МАТЕМАТИЧЕСКОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ САПРTHE INVESTIGATION OF THE EFFECT OF DESIGN PARAMETERS OF THIN-FILM ELECTROLUMINESCENT INDICATORS OF MODES OF OPERATION FOR THE DEVELOPMENT OF SOFTWARE OF THE CAD SYSTEMМаксимоваО. В.first32007@yandex.ruСамохваловМ. К.sam@ulstu.ruУльяновский государственный технический университетRussian Federation201208012023018592Copyright © Максимова О.В., Самохвалов М.К., 20232023Максимова О.В., Самохвалов М.К.Максимова О.В., Самохвалов М.К.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.physmathmgou.ru/jour/article/view/269

Тонкопленочные электролюминесцентные структуры, возбуждаемые переменным током, являются перспективными активными плоскими индикаторными приборами, которые имеют ряд достоинств: высокую яркость, малую потребляемую мощность, высокие эффективность и срок службы и т.д. Имеется много публикаций с экспериментальными данными для электролюминесцентных светоизлучающих конденсаторов на основе сульфида цинка с марганцем или фторидами редкоземельных металлов и некоторыми другими люминофорами с различными диэлектрическими пленками. Изучены эффекты генерации носителей заряда и рассеяния энергии в тонкопленочных структурах. Основные характеристики индикаторных приборов определяются поляризационными эффектами, связанными с туннельной перезарядкой ловушек границы раздела люминофор-диэлектрик. Приве- денные соотношения были адаптированы для разработки системы автоматизированного проектирования тонкопленочных электролюминесцент-ных индикаторов. Произведена оценка влияния на электрические характеристики конструктивных параметров.

Thin-film electroluminescent alternating current driven structures are the perspective active flat indicator devices, which have a number of advantages: high brightness, small consumed power, high efficiency, long working life et.al. There are many publications about the experimental datas for electroluminescent light emitted capacitors on the bases of zinc sulphide with manganese or rare-earth metal fluorides and some other phosphors with various insulator films. Effects of charge currier generation and energy dissipation are studied for thin-film structures. The main characteristics of indicator devices are explained by means of polarization effects connected with tunnel recharge of luminophore-insulator interface traps. These equations have been adapted for the development of CAD system of thin-film electroluminescent indicators. The presented of conspicuous electrical parameters dependence on the structural factors.

тонкопленочный индикаторпороговое напряжениемаксимально допустимое рабочее напряжениеэлектролюминесцентный конденсаторэлектролюминесценцияthin film electroluminescence indicatorthreshold voltagemaximum allowable voltageelectroluminescent capacitorelectroluminescenceReferencesВерещагин, И.К. Электролюминесцентные источники света [Текст] / И.К. Вереща- гин, Б.А. Ковалев, Л.А. Косяченко, С.М. Кокин - М.: Энергоатомидат, 1990. - 168 с.Верещагин, И.К. Электролюминесцентные источники света [Текст] / И.К. Вереща- гин, Б.А. Ковалев, Л.А. Косяченко, С.М. Кокин - М.: Энергоатомидат, 1990. - 168 с.Muller, G.O. Basics of electron impact-excited luminescence devices [Текст] / G.O. Muller // Phys. stat. Sol. (a). - 1984. - v.81. - P. 597 - 608.Muller, G.O. Basics of electron impact-excited luminescence devices [Текст] / G.O. Muller // Phys. stat. Sol. (a). - 1984. - v.81. - P. 597 - 608.Гурин, Н.Т. Взаимосвязь параметров диэлектрических слоев и порогового напряже- ния ТП ЭЛК [Текст] / Н.Т. Гурин //Электронная техника. Сер.3, Микроэлектрони- ка.- 1990.- B.1 (I35).- c.88-90.Гурин, Н.Т. Взаимосвязь параметров диэлектрических слоев и порогового напряже- ния ТП ЭЛК [Текст] / Н.Т. Гурин //Электронная техника. Сер.3, Микроэлектрони- ка.- 1990.- B.1 (I35).- c.88-90.Гурин, Н.Т. Анализ параметров ТП ЭЛК с разными диэлектрическими слоями. [Текст] / Гурин Н.Т. //Лазерная техника и оптоэлектроника.- 1992.-№ 3-4 (64-65).- С.74-77.Гурин, Н.Т. Анализ параметров ТП ЭЛК с разными диэлектрическими слоями. [Текст] / Гурин Н.Т. //Лазерная техника и оптоэлектроника.- 1992.-№ 3-4 (64-65).- С.74-77.Pratt, G.W. Long-term charge Storage in interface states of ZnS MOS capacitora. [Текст] / G.W. Pratt L.G. Walker, // J.Appl.Phys/- 1975.- v.46.-№7.- р.2992-2997.Pratt, G.W. Long-term charge Storage in interface states of ZnS MOS capacitora. [Текст] / G.W. Pratt L.G. Walker, // J.Appl.Phys/- 1975.- v.46.-№7.- р.2992-2997.Howard, W.E. The importance of insulator properties in a thin-film electroluminescent device. [Текст] / W.E. Howard // IEEE Trans.Electron Dev.-1977. - v.ED-24. №7- p.903- 906.Howard, W.E. The importance of insulator properties in a thin-film electroluminescent device. [Текст] / W.E. Howard // IEEE Trans.Electron Dev.-1977. - v.ED-24. №7- p.903- 906.Проведение теоретических и экспериментальных исследований физических про- цессов, протекающих в самосканирующих устройствах и микроэлектронных сред- ствах отображения информации. Теоретические и экспериментальные исследова- ния физических процессов в самосканирующих оптоэлектронных устройствах: От- чет о НИР (промежут.) [Текст] /Ульяновский политехн. ин-т;Руководитель Н.Т.Гурин.- №90-02; №ГР 0188.0040947 ;Инв.02890010701 Ульяновск, 1988. - С.85.Проведение теоретических и экспериментальных исследований физических про- цессов, протекающих в самосканирующих устройствах и микроэлектронных сред- ствах отображения информации. Теоретические и экспериментальные исследова- ния физических процессов в самосканирующих оптоэлектронных устройствах: От- чет о НИР (промежут.) [Текст] /Ульяновский политехн. ин-т;Руководитель Н.Т.Гурин.- №90-02; №ГР 0188.0040947 ;Инв.02890010701 Ульяновск, 1988. - С.85.Самохвалов, М.К. Электролюминесцентные процессы в тонкопленочных электро- люминесцентных структурах [Текст] / М.К. Самохвалов Дис. докт.физ.-мат. наук.- Ульяновск, 1994.- 315 с.Самохвалов, М.К. Электролюминесцентные процессы в тонкопленочных электро- люминесцентных структурах [Текст] / М.К. Самохвалов Дис. докт.физ.-мат. наук.- Ульяновск, 1994.- 315 с.Мишин, А.И. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук, Мишин Александр Иванович, Математическое моделирование процессов рассеяния энергии в тонкопленочных электролюминесцентных конден- саторах. Специальность 05.13.18 - Математическое моделирование, численные ме- тоды и комплексы программ [Текст] / А.И. Мишин. - Ульяновск, 2007. - С.16.Мишин, А.И. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук, Мишин Александр Иванович, Математическое моделирование процессов рассеяния энергии в тонкопленочных электролюминесцентных конден- саторах. Специальность 05.13.18 - Математическое моделирование, численные ме- тоды и комплексы программ [Текст] / А.И. Мишин. - Ульяновск, 2007. - С.16.Кулешова, В.И. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справочник [Текст] / С.В.Якубовский, Л.И.Ниссельсон, В.И.Кулешова и др.; Под ред. С.В.Якубовского.- М.: Радио и связь, 1989.- С.496.Кулешова, В.И. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справочник [Текст] / С.В.Якубовский, Л.И.Ниссельсон, В.И.Кулешова и др.; Под ред. С.В.Якубовского.- М.: Радио и связь, 1989.- С.496.Самохвалов, М.К., Пугачев С.Ф., Бригаднов И.Ю. Спектральные характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS. [Текст] / М.К.Самохвалов, С.Ф. Пугачев, И.Ю. Бригаднов // Тез.докл. 28-й науч.- техн.конф.УлПИ, ч.1. - Ульяновск. - 1994.- C.27-28.Самохвалов, М.К., Пугачев С.Ф., Бригаднов И.Ю. Спектральные характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS. [Текст] / М.К.Самохвалов, С.Ф. Пугачев, И.Ю. Бригаднов // Тез.докл. 28-й науч.- техн.конф.УлПИ, ч.1. - Ульяновск. - 1994.- C.27-28.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.