Методы контроля толщины эпитаксиального слоя кремния
https://doi.org/10.18384/2949-5067-2023-3-33-42
Аннотация
Цель. Обзор разрушающих и неразрушающих методов контроля толщины эпитаксиального слоя кремния (Si). Определение параметров тонкой плёнки является важной задачей для физики конденсированного состояния. Приведены современные способы контроля, такие как сферический шлиф, эллипсометрия и ИК-Фурье спектрометрия, слабо представленные в научной литературе.
Процедура и методы. Проанализирован практический опыт и изложены основные результаты.
Результаты. Обобщены основные подходы к определению толщины эпитаксиальных слоёв.
Теоретическая значимость заключается в углублённом рассмотрении метода определения толщины эпитаксиальной плёнки Si и глубины залегания p-n перехода сферическим шлифом.
Ключевые слова
кремний,
эпитаксиальный слой,
метод контроля,
ИК-Фурье спектрометрия,
сферический шлиф,
эллипсометрия
Об авторе
Т. И. Захарова
Российский университет дружбы народов имени Патриса Лумумбы
Россия
Россия
Татьяна Ивановна Захарова, магистрант
Инженерная академия
117198
ул. Миклухо-Маклая, д. 6
Москва
Список литературы
1. Анализ разрушающих методов измерения и контроля толщины тонких пленок / Шупенев А.Е., Панкова Н. С., Коршунов И. С., Григорьянц А. Г. // Известия высших учебных заведений. Машиностроение. 2019. № 3 (708). С. 32–34. DOI: 10.18698/0536-1044-2019-3-31-39.
2. Controlled Doping Methods for Radial p/n Junctions in Silicon Micropillars / Elbersen R., Tiggelaar R. M., Milbrat A., Mul G., Gardeniers H., Huskens J. // Advanced Energy Materials. 2015. Vol. 5. Iss. 6. P. 1–8. DOI: 10.1002/aenm.201401745.
3. Handbook of Ellipsometry / eds. Tompkins H. G., Irene E. A. Norwich, NY: William Andrew Publishing, 2005. 902 p.
4. Measurement of stress-optic coefficients for metals in the visible to near-infrared spectrum with spectroscopic ellipsometry / Sun X., Wang S., Li L., Huo Z., Wang L., Li C., Wang Z. // Optics and Lasers in Engineering. 2023. Vol. 161. P. 107362. DOI: 10.1016/j.optlaseng.2022.107362.
5. Modeled optical properties of SiGe and Si layers compared to spectroscopic ellipsometry measurements / Kriso C., Triozon F., Delerue C., Schneider L., Abbate F. et al. // Solid-State Electronics. 2017. Vol. 129. P. 93–96. DOI: 10.1016/j.sse.2016.12.011.
6. Spectroscopic ellipsometry study of non-hydrogenated fully amorphous silicon films deposited by room-temperature radio-frequency magnetron sputtering on glass: Influence of the argon pressure / Márqueza E., Blanco E., García-Vázquezb C., Díazb J. M., Saugar E. // Journal of Non-Crystalline Solids. 2020. Vol. 547. P 120305. DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2020.120305.
7. Spectral interference ellipsometry for film thickness measurement on transparent substrate / Zhang J., Shi L., Zhang R., Chen J., Wu G. // Optics and Lasers in Engineering. 2023. Vol. 171. P. 107819. DOI: 10.1016/j.optlaseng.2023.107819.
8. Structure and chemical analysis in thin films by in situ IR ellipsometry / Hinrichs K., Sun G., Rappich J., Furchner A. // Encyclopedia of Solid-Liquid Interfaces / eds. K. Wandelt, G. Bussetti. USA: Elsevier, 2023. P. 514–520. DOI: 10.1016/B978-0-323-85669-0.00019-2.
9. The microstructure and optical properties of p-type microcrystalline silicon thin films characterized by ex-situ spectroscopic ellipsometry / Zhang He, Zhang X., Hou G., Wei C., Sun J. et al. // Thin Solid Films. 2012. Vol. 521. P. 17–21. DOI: 10.1016/j.tsf.2012.03.081.
10. Combined ellipsometry and X-ray related techniques for studies of ultrathin organic nanocomposite films / Krämer M., Roodenko K., Pollakowski B., Hinrichs K., Rappich J. et al. // Thin Solid Films. 2010. Vol. 518. Iss. 19. P. 5509–5514. DOI: 10.1016/j.tsf.2010.04.033.
11. Инфракрасная фурье-спектрометрия / Ефимова А. И., Зайцев В. Б., Болдырев Н. Ю., Кашкаров П. К. М.: Физический факультет МГУ, 2008. 133 c.
12. Xu J., Gowen A. A. Time series Fourier transform infrared spectroscopy for characterization of water vapor sorption in hydrophilic and hydrophobic polymeric films // Spectrochimica Acta Part A: Molecular and Biomolecular Spectroscopy. 2021. Vol. 250. P. 119371. DOI: 10.1016/j.saa.2020.119371.
Дополнительные файлы
Рецензия
Просмотров:
93
Послать статью по эл. почте 