FEATURES OF THE STRUCTURE OF POROUS SILICON FILMS WITH DEVELOPED SURFACE
Abstract
The research results of the structure of the porous silicon film, formed by electrochemical etching method on the textured surface of the monocrystalline silicon substrate are presented. It has been established that, treatment of the porous silicon film in an aqueous solution of HF, promotes formation of developed surface. The investigated film consists of layers with different silicon crystallite size and chemical composition.
References
1. Salcedo W.J., Fernandez F.R., Rubimc J.C. Influence of laser excitation on Raman and photoluminescence spectra and FTIR study of porous silicon layers // Brazilian Journal of Physics.
2. Венгер Е.Ф., Горбач Т.Я., Кириллова С.И., Примаченко В.E., Чернобай В.А. Изменение свойств системы пористый Si/ Si при постепенном стравливании слоя пористого Si // ФТП. 2002. Т. 36. Вып. 3. С. 349-354.
3. Химические свойства неорганических веществ / P.A. Лидин и др.; М.: КолосС, 2006. 480 с. 739-744. 1999. Vol. 29. No. 4. P. 751-755.
4. Yang М., Huang D., Hao P. Study of the Raman peak shift and the linewidth of light-emitting porous silicon // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. No.l. P. 651-653.
5. Тутов E.A., Бормонтов E.H., Кашкаров В.М., Павленко М.H., Домашевская Э.П. Влияние адсорбции паров воды на вольт-фарадные характеристики гетероструктур с пористым кремнием // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 11. С. 83-89.
6. Горячев Д.H., Беляков Л.В., Сресели О.М. Формирование толстых слоев пористого кремния при недостаточной концентрации неосновных носителей // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 6. С. ISSN 2072-8387 ] Вестник МГОУ. Серия: Физика-Математика f 2015 / № 1
Review
Views:
47
Email this article 