Аналитическое описание спектров излучения стоячих экситонов большого радиуса в кристаллах IV группы элементов легированных бором
Аннотация
Ключевые слова
Об авторе
Ф. И. ВысикайлоРоссия
Список литературы
1. Vysikaylo Ph.I. Physical Fundamentals of Hardening of Materials by Space Charge Layers // Surface Engineering and Applied Electrochemistry. 2010, V. 46, № 4, pp. 291-298.
2. Blank V., Vysikaylo Ph. et al. C60-doping of nanostructured Bi-Sb-Te thermoelectrics // Phys. Status Solidi A. 2011, V. 208, № 11, pp. 2783-2789.
3. Vysikaylo Ph.I. Cumulation of de Broglie Waves of Electrons, Endoions and Endoelec-trons of Fullerenes, and Resonances in the Properties of Nanocomposite Materials with Spatial Charge Layers // Surface Engineering and Applied Electrochemistry. 2010, V. 46, № 6, pp. 547-557.
4. Полянин А.Д. Справочник по линейным уравнениям математической физики. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2001. с. 511, 515;
5. П.А.М. Дирак Принципы квантовой механики. - М.: Наука. Гл. Ред. Физ.-мат. Лит. 1979 - 480 с.; P.A.M. Dirac The Principles of Quantum Mechanics. Oxford. 1958.
6. Vysikaylo Ph.I. Cumulative Quantum Mechanics (CQM). Part I: Prerequisites and Fundamentals of CQM // Surface Engineering and Applied Electrochemistry 2012. V. 48 N. 4. pp. 293-305.
7. Vysikaylo Ph.I. Cumulative Quantum Mechanics (CQM) Part II. Application of Cumulative Quantum Mechanics in Describing the Vysikaylo Polarization Quantum_Size Effects// Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 2012, Vol. 48, No. 5, pp. 395411.
8. Высикайло Ф.И. Поляризация аллотропных полых форм углерода и её применение в конструировании нанокомпозитов // Нанотехника. 2011, 1(25), с. 19-36.
9. Jaffke T., Illenbergen E., Lezius M., Matejcik S., Smith D. and Mark T.D. Formation of C60 and C70 by Free Electron Capture. Activation Energy and Effect of the Internal Energy on Lifetime // Chem. Phys. Lett., 1994, 226, pp. 213-218.
10. Лифшиц Е.М., Питаевский Л.П. Теоретическая физика: Учеб. пособ.: Для вузов. Т.9 Статистическая физика Ч. 2. Теория конденсированного состояния. 4е изд. -М.: ФИЗМАТЛИТ, 2004. - 496 с.
11. Collins A.T., Lightowlers E.C. and Dean P.J. Role of Phonons in the Oscillatory Photoconductivity Spectrum of Semiconducting Diamond. // Phys. Review 1969. V. 183, № 3, pp. 725-730.
12. Collins A.T. and Williams A.W.S. The nature of the acceptor centre in semiconducting diamond // J. Phys. C: Solid State Phys. (1971) № 4, pp. 1789-1800.
13. Denisov V.N., Mavrin B.N., Polyakov S.N., Kuznetsov M.S., Terentiev S.A., Blank V.D. First observation of electronic structure of the even parity boron acceptor states in diamond. // Physics Letters A (2012) V. 376, pp. 2812-2815.
14. Wright G.B., Mooradian A. Raman scattering from donor and acceptor impurities in silicon. // Phys. Rev. Lette (1967) V. 18, № 15, pp. 608-610.
15. Jain K., Lai S., Klein M.V. Electronic Raman scattering and the metal-insulator transition in doped silicon. // Physical Review B (1976) V. 13, № 12, pp. 5448-5464.
16. Высикайло Ф.И. Самоорганизующиеся кумулятивно-диссипативные наноструктуры в легированных кристаллах. Парадоксы в квантовой механике и их решение на базе кумулятивной квантовой механики. // Инженерная физика. 2013, № 3, с. 15-48.