ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКТИВНЫХ ПАРАМЕТРОВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНИСЦЕНТНЫХ ИНДИКАТОРОВ НА РЕЖИМЫ ИХ РАБОТЫ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ МАТЕМАТИЧЕСКОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ САПР

Тонкопленочные электролюминесцентные структуры, возбуждаемые
переменным током, являются перспективными активными плоскими индикаторными приборами, которые имеют ряд достоинств: высокую яркость, малую потребляемую мощность, высокие эффективность и срок службы и т.д. Имеется много
публикаций с экспериментальными данными для электролюминесцентных светоизлучающих конденсаторов на основе сульфида цинка с марганцем или фторидами
редкоземельных металлов и некоторыми другими люминофорами с различными
диэлектрическими пленками. Изучены эффекты генерации носителей заряда и рассеяния энергии в тонкопленочных структурах. Основные характеристики индикаторных приборов определяются поляризационными эффектами, связанными с туннельной перезарядкой ловушек границы раздела люминофор-диэлектрик. Приве-
денные соотношения были адаптированы для разработки системы автоматизированного проектирования тонкопленочных электролюминесцент-ных индикаторов.
Произведена оценка влияния на электрические характеристики конструктивных параметров.

тонкопленочный индикатор, пороговое напряжение, максимально допустимое рабочее напряжение, электролюминесцентный конденсатор, электролюминесценция

1. Верещагин, И.К. Электролюминесцентные источники света [Текст] / И.К. Вереща- гин, Б.А. Ковалев, Л.А. Косяченко, С.М. Кокин - М.: Энергоатомидат, 1990. - 168 с.

2. Muller, G.O. Basics of electron impact-excited luminescence devices [Текст] / G.O. Muller // Phys. stat. Sol. (a). - 1984. - v.81. - P. 597 - 608.

3. Гурин, Н.Т. Взаимосвязь параметров диэлектрических слоев и порогового напряже- ния ТП ЭЛК [Текст] / Н.Т. Гурин //Электронная техника. Сер.3, Микроэлектрони- ка.- 1990.- B.1 (I35).- c.88-90.

4. Гурин, Н.Т. Анализ параметров ТП ЭЛК с разными диэлектрическими слоями. [Текст] / Гурин Н.Т. //Лазерная техника и оптоэлектроника.- 1992.-№ 3-4 (64-65).- С.74-77.

5. Pratt, G.W. Long-term charge Storage in interface states of ZnS MOS capacitora. [Текст] / G.W. Pratt L.G. Walker, // J.Appl.Phys/- 1975.- v.46.-№7.- р.2992-2997.

6. Howard, W.E. The importance of insulator properties in a thin-film electroluminescent device. [Текст] / W.E. Howard // IEEE Trans.Electron Dev.-1977. - v.ED-24. №7- p.903- 906.

7. Проведение теоретических и экспериментальных исследований физических про- цессов, протекающих в самосканирующих устройствах и микроэлектронных сред- ствах отображения информации. Теоретические и экспериментальные исследова- ния физических процессов в самосканирующих оптоэлектронных устройствах: От- чет о НИР (промежут.) [Текст] /Ульяновский политехн. ин-т;Руководитель Н.Т.Гурин.- №90-02; №ГР 0188.0040947 ;Инв.02890010701 Ульяновск, 1988. - С.85.

8. Самохвалов, М.К. Электролюминесцентные процессы в тонкопленочных электро- люминесцентных структурах [Текст] / М.К. Самохвалов Дис. докт.физ.-мат. наук.- Ульяновск, 1994.- 315 с.

9. Мишин, А.И. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук, Мишин Александр Иванович, Математическое моделирование процессов рассеяния энергии в тонкопленочных электролюминесцентных конден- саторах. Специальность 05.13.18 - Математическое моделирование, численные ме- тоды и комплексы программ [Текст] / А.И. Мишин. - Ульяновск, 2007. - С.16.

10. Кулешова, В.И. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справочник [Текст] / С.В.Якубовский, Л.И.Ниссельсон, В.И.Кулешова и др.; Под ред. С.В.Якубовского.- М.: Радио и связь, 1989.- С.496.

11. Самохвалов, М.К., Пугачев С.Ф., Бригаднов И.Ю. Спектральные характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS. [Текст] / М.К.Самохвалов, С.Ф. Пугачев, И.Ю. Бригаднов // Тез.докл. 28-й науч.- техн.конф.УлПИ, ч.1. - Ульяновск. - 1994.- C.27-28.