Жуков Николай Дмитриевич – кандидат физико-математических наук, генеральный директор
410033, г. Саратов, пр-т им. 50 лет Октября, д. 101, оф. 31
Nikolay D. Zhukov – Cand. Sci. (Phys.-Math.), General Director
prospekt imeni 50 let Oktyabrya 101, office 31, Saratov 410033
Клецов Алексей Александрович – кандидат физико-математических наук, доцент кафедры материаловедения
410012, г. Саратов, ул. Астраханская, д. 83
Aleksey A. Kletsov – Cand. Sci. (Phys.-Math.), Assoc. Prof., Department of Materials Science
ulitsa Astrakhanskaya 83, Saratov 410012
Мосияш Денис Сергеевич – ведущий специалист Общества с ограниченной ответственностью
410033, г. Саратов, пр-т им. 50 лет Октября, д. 101, оф. 31
Denis S. Mosiyash – Leading Specialist
prospekt imeni 50 let Oktyabrya 101, office 31, Saratov 410033
Беляев Виктор Васильевич – доктор технических наук, профессор, главный научный сотрудник управления развития науки, профессор кафедры фундаментальной физики и нанотехнологии ; профессор кафедрынанотехнологии и микросистемной техники
141014, Московская обл., г. Мытищи, ул. Веры Волошиной, д. 24; 117198, г. Москва, ул. Миклухо-Маклая, д. 6
Victor V. Belyaev – Dr. Sci. (Engineering), Leading Researcher, Science Development Department; Prof., Department of Fundamental Physics and Nanotechnology ; Prof., Department of Nanotechnologies and MicrosystemTechnology
ulitsa Very Voloshinoi 24, Mytishchi 141014, Moscow Region; ulitsa Miklukho-Maklaya 6, Moscow 117198
Цель. Изучение модели нанокристалла зародышевого размера и выявление его свойств и закономерностей.
Процедура и методы. Построена модель и проведены численные расчёты на примере бинарного полупроводника GaAs, которые показали, что при самопроизвольном образовании нанокристалла формируется кристаллическая решётка с размером элементарной ячейки 0,4–0,5 нм, что больше длины связи атомов галлия и мышьяка при их возможном соединении в молекуле (сумма атомных радиусов 0,273 нм) и меньше постоянной решётки арсенида галлия (0,565 нм). Размер нанокристалла, вычисленный как кубический корень из произведения числа атомов на объём элементарной ячейки, составляет 0,6–1,4 нм. Эти значения достаточно точно соответствуют оценке длины волны де Бройля для электрона объёмного кристалла. Ширина запрещённой зоны уменьшается с увеличением числа атомов, изменяясь от величины электронного сродства материала (4,1 эВ) до ширины запрещённой зоны объёмного кристалла – 1,42 эВ. 1
Результаты. При размерах нанокристалла более минимального (элементарной ячейки) к нанокристаллу применимы физические модели и подходы, используемые для объёмного кристалла.
Теоретическая и практическая значимость. Разработана модель свойств наноразмерной системы GaAs, легированной Zn, обеспечивающая предсказание новых функциональных возможностей таких материалов.
Aim. Study of the model of nucleus-sized nanocrystal and identification of its properties and patterns.
Methodology. A model was developed and numerical calculations were carried out on the example of the binary semiconductor GaAs, which showed that during the spontaneous formation of a nanocrystal, the crystal lattice with an elementary cell size of 0.4 – 0.5 nm is formed, which is greater than the length of the bond of both gallium and arsenic atoms when they are possible combined in the molecule (the sum of atomic radii is 0.273 nm) and less than the lattice constant of gallium arsenide (0.565 nm). The size of the nanocrystal, calculated as the cubic root of the product of the number of atoms and the volume of the unit cell, is 0.6 – 1.4 nm. These values correspond quite accurately to the estimation of the de Broglie wavelength for the electron of the bulk crystal. The bandgap decreases with the number of atoms, varying from the electron affinity of the material (4.1 eV) to the bandgap of the bulk crystal (1.42 eV).
Results. If the size of the nanocrystal is more than the minimum (unit cell), the physical models and approaches used for the bulk crystal are applicable to the nanocrystal.
Research implications. A model of properties of a nanosized system GaAs doped with Zn has been developed that provides prediction of new functionality of these materials.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.