phmathВестник Государственного университета просвещения. Серия: Физика-МатематикаBulletin of Federal State University of Education. Series: Physics and Mathematics2949-50832949-5067Federal State University of Educationphmath-396Research ArticleРАЗДЕЛ II. ФИЗИКАSECTION II. PHYSICSОСОБЕННОСТИ СТРУКТУРЫ ПЛЕНОК ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ С РАЗВИТОЙ ПОВЕРХНОСТЬЮFEATURES OF THE STRUCTURE OF POROUS SILICON FILMS WITH DEVELOPED SURFACEТрегуловВадим ВикторовичTregulovV. .trww@yandex.ruРязанский государственный университет имени С.А. ЕсенинаРоссияS.A. Esenin Ryazan state UniversityRussian Federation201520012023016469Copyright © Трегулов В.В., 20232023Трегулов В.В.Tregulov V...Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.physmathmgou.ru/jour/article/view/396

Представлены результаты исследования структуры пленки пористого кремния, сформированной методом электрохимического травления на поверхности текстурированной кремниевой монокристаллической подложки. Установлено, что обработка пленки пористого кремния в водном растворе HF способствует формированию развитой поверхности. Исследуемая пленка состоит из слоев, различающихся размерами кремниевых кристаллитов и химическим составом.

The research results of the structure of the porous silicon film, formed by electrochemical etching method on the textured surface of the monocrystalline silicon substrate are presented. It has been established that, treatment of the porous silicon film in an aqueous solution of HF, promotes formation of developed surface. The investigated film consists of layers with different silicon crystallite size and chemical composition.

пористый кремнийповерхностькомбинационное рассеяние светафотолюминесценцияporous siliconsurfaceThe Raman scattering of lightphotoluminescenceReferencesSalcedo W.J., Fernandez F.R., Rubimc J.C. Influence of laser excitation on Raman and photoluminescence spectra and FTIR study of porous silicon layers // Brazilian Journal of Physics.Salcedo W.J., Fernandez F.R., Rubimc J.C. Influence of laser excitation on Raman and photoluminescence spectra and FTIR study of porous silicon layers // Brazilian Journal of Physics.Венгер Е.Ф., Горбач Т.Я., Кириллова С.И., Примаченко В.E., Чернобай В.А. Изменение свойств системы пористый Si/ Si при постепенном стравливании слоя пористого Si // ФТП. 2002. Т. 36. Вып. 3. С. 349-354.Венгер Е.Ф., Горбач Т.Я., Кириллова С.И., Примаченко В.E., Чернобай В.А. Изменение свойств системы пористый Si/ Si при постепенном стравливании слоя пористого Si // ФТП. 2002. Т. 36. Вып. 3. С. 349-354.Химические свойства неорганических веществ / P.A. Лидин и др.; М.: КолосС, 2006. 480 с. 739-744. 1999. Vol. 29. No. 4. P. 751-755.Химические свойства неорганических веществ / P.A. Лидин и др.; М.: КолосС, 2006. 480 с. 739-744. 1999. Vol. 29. No. 4. P. 751-755.Yang М., Huang D., Hao P. Study of the Raman peak shift and the linewidth of light-emitting porous silicon // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. No.l. P. 651-653.Yang М., Huang D., Hao P. Study of the Raman peak shift and the linewidth of light-emitting porous silicon // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. No.l. P. 651-653.Тутов E.A., Бормонтов E.H., Кашкаров В.М., Павленко М.H., Домашевская Э.П. Влияние адсорбции паров воды на вольт-фарадные характеристики гетероструктур с пористым кремнием // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 11. С. 83-89.Тутов E.A., Бормонтов E.H., Кашкаров В.М., Павленко М.H., Домашевская Э.П. Влияние адсорбции паров воды на вольт-фарадные характеристики гетероструктур с пористым кремнием // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 11. С. 83-89.Горячев Д.H., Беляков Л.В., Сресели О.М. Формирование толстых слоев пористого кремния при недостаточной концентрации неосновных носителей // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 6. С. ISSN 2072-8387 ] Вестник МГОУ. Серия: Физика-Математика f 2015 / № 1Горячев Д.H., Беляков Л.В., Сресели О.М. Формирование толстых слоев пористого кремния при недостаточной концентрации неосновных носителей // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 6. С. ISSN 2072-8387 ] Вестник МГОУ. Серия: Физика-Математика f 2015 / № 1

The authors declare that there are no conflicts of interest present.