phmathВестник Государственного университета просвещения. Серия: Физика-МатематикаBulletin of Federal State University of Education. Series: Physics and Mathematics2949-50832949-5067Federal State University of Educationphmath-225Research ArticleСтатьиИМИТАЦИОННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ПОЛЯРИЗАЦИИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИНЖЕКТИРОВАННЫХ ЗАРЯДОВSIMULATION OF POLARIZATION REVERSAL PROCESSES IN FERROELECTRIC CRYSTALS UNDER INJECTED CHARGESМасловскаяА. Г.maslovskayaag@mail.ruБарабашТ. К.barabash-tatyana@mail.ruАмурский государственный университет (АмГУ)Russian Federation201108012023025260Copyright © Масловская А.Г., Барабаш Т.К., 20232023Масловская А.Г., Барабаш Т.К.Масловская А.Г., Барабаш Т.К.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.physmathmgou.ru/jour/article/view/225

Представлен анализ процесса переключения поляризации сегнетоэлектрических кристаллов в режиме инжекции электронных пучков под поверхностный слой образца. Предложена имитационная модель, отражающая динамику переполяризации сегнетоэлектрического кристалла в рамках двумерного геометрического представления. Проведен расчет поляризационного тока модельных сегнетоэлектриков в инжекционном режиме.

The article is devoted to the analysis of polarization reversal processes in ferroelectric crystals in the mode of injection of the electron bunches under the sample surface. The simulation model of ferroelectric repolarization dynamics for 2-D domain configuration geometry is supposed. The calculation of polarization switching current in the injection mode is also presented.

сегнетоэлектрикпереключение поляризацииинжекция электроновоблучениеимитационная модельferroelectric crystalspolarization reversalelectron injectionirradiationsimulationReferencesЛайнс, М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981. 725 с.Лайнс, М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981. 725 с.Донцова, Л.И., Тихомирова Н.А., Гинзберг А.В. Кинетика процесса переключения локально облученных образцов триглицинсульфата // ФТТ. 1988. Т. 30. № 9. С. 2692-2697.Донцова, Л.И., Тихомирова Н.А., Гинзберг А.В. Кинетика процесса переключения локально облученных образцов триглицинсульфата // ФТТ. 1988. Т. 30. № 9. С. 2692-2697.Розенман, Г.И., Охапкин В.А., Чепелев Ю.Л., Шур В.Я. Эмиссия электронов при переключении сегнетоэлектрика германата свинца // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 39. С. 397-399.Розенман, Г.И., Охапкин В.А., Чепелев Ю.Л., Шур В.Я. Эмиссия электронов при переключении сегнетоэлектрика германата свинца // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 39. С. 397-399.Согр, А.А., Копылова И.Б. Исследование кинетики накопления и релаксации инжектированных зарядов в кристаллах ТГС // Изв. РАН. Сер. физич. 2000. Т. 64. № 6. С. 1199-1202.Согр, А.А., Копылова И.Б. Исследование кинетики накопления и релаксации инжектированных зарядов в кристаллах ТГС // Изв. РАН. Сер. физич. 2000. Т. 64. № 6. С. 1199-1202.Sogr, A.A., Maslovskaya A.G., Kopylova I.B. Advanced modes of imaging of ferroelectric domains in the SEM // Ferroelectrics. 2006. V. 341. P. 29-37.Sogr, A.A., Maslovskaya A.G., Kopylova I.B. Advanced modes of imaging of ferroelectric domains in the SEM // Ferroelectrics. 2006. V. 341. P. 29-37.Мейланов, Р.П., Садыков С.А. Фрактальная модель кинетики переключения поляризации в сегнетоэлектриках // Журнал технической физики. 1999. Т. 69. № 5. С. 128-129.Мейланов, Р.П., Садыков С.А. Фрактальная модель кинетики переключения поляризации в сегнетоэлектриках // Журнал технической физики. 1999. Т. 69. № 5. С. 128-129.Захаров, М.А., Кукушкин С.А., Осипов А.В. Теория переключния сегнетоэлектриков (основные стадии) // ФТТ. 2005. Т. 47. Вып. 4. С. 673-678.Захаров, М.А., Кукушкин С.А., Осипов А.В. Теория переключния сегнетоэлектриков (основные стадии) // ФТТ. 2005. Т. 47. Вып. 4. С. 673-678.Шур, В.Я., Николаева Е.В., Шишкин Е.И., Кожевников В.Л., Черных А.П. Кинетика доменной структуры и токи переключения в монокристаллах конгруэнтного и стехиометрического танталата лития // ФТТ. 2002. Т. 44. Вып. 11. С. 2055-2060.Шур, В.Я., Николаева Е.В., Шишкин Е.И., Кожевников В.Л., Черных А.П. Кинетика доменной структуры и токи переключения в монокристаллах конгруэнтного и стехиометрического танталата лития // ФТТ. 2002. Т. 44. Вып. 11. С. 2055-2060.Li, D.B., Ferris J.H., Strachan Douglas R., Bonnell Dawn A. Polarization reorientation in ferroelectric lead zirconate titanate thin films with electron beams // J.Mater.Res. 2006. V. 21. No 4. P. 935-940.Li, D.B., Ferris J.H., Strachan Douglas R., Bonnell Dawn A. Polarization reorientation in ferroelectric lead zirconate titanate thin films with electron beams // J.Mater.Res. 2006. V. 21. No 4. P. 935-940.Sekhar, K.C., Nautiyal A., Nath R. Polarization Switching in Ferroelectric Sodium Nitrite Thick Film // Applied Physics Express. 2008. V. 1. P. 091601-1-091601-3.Sekhar, K.C., Nautiyal A., Nath R. Polarization Switching in Ferroelectric Sodium Nitrite Thick Film // Applied Physics Express. 2008. V. 1. P. 091601-1-091601-3.Масловская, А.Г., Копылова И.Б. Исследование процесса переполяризации сегнето- электрических кристаллов в инжекционном режиме // ЖЭТФ. 2009. Т. 136. №7. С. 105-109.Масловская, А.Г., Копылова И.Б. Исследование процесса переполяризации сегнето- электрических кристаллов в инжекционном режиме // ЖЭТФ. 2009. Т. 136. №7. С. 105-109.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.